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意法半導(dǎo)體新推出的SLLIMM?-nano智能功率模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多元器件，加快300W以下低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器研發(fā)，簡(jiǎn)化組裝過(guò)程。

3A和5A 模塊內(nèi)置當(dāng)前*********的600V超結(jié)MOSFET，最大限度提升空氣壓縮機(jī)、風(fēng)扇、泵等設(shè)備的能效。各種直列引腳或Z形引腳封裝有助于優(yōu)化空間占用率，確保所需的引腳間距。內(nèi)部開(kāi)孔選項(xiàng)讓低價(jià)散熱器的安裝更容易。此外，發(fā)射極開(kāi)路輸出分開(kāi)設(shè)計(jì)可簡(jiǎn)化PCB板單路或三路Shunt (分流電阻)電流監(jiān)視走線。

每個(gè)IPM模塊都包含由六支MOSFET組成的三相半橋和一個(gè)高壓柵驅(qū)動(dòng)芯片。新增功能有助于簡(jiǎn)化保護(hù)電路和防錯(cuò)電路設(shè)計(jì)，包括一個(gè)用于檢測(cè)電流的未使用的運(yùn)放、用于高速錯(cuò)誤保護(hù)電路的比較器和用于監(jiān)視溫度的可選的NTC (負(fù)溫度系數(shù))熱敏電阻，還集成一個(gè)自舉二極管，以降低物料清單(BOM)成本，簡(jiǎn)化電路板布局設(shè)計(jì)。智能關(guān)斷電路可保護(hù)功率開(kāi)關(guān)管，欠壓鎖保護(hù)(UVLO)預(yù)防低Vcc或Vboot電壓引起的功能失效。

超結(jié)MOSFET在25°C時(shí)通態(tài)電阻只有1.0?，最大 1.6? ，低電容和低柵電荷可最大限度降低通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升20kHz以下硬開(kāi)關(guān)電路的能效，包括各種工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，準(zhǔn)許低功率應(yīng)用無(wú)需使用散熱器。此外，優(yōu)化的開(kāi)關(guān)di/dt和dV/dt上升速率確保EMI干擾處于一個(gè)較低的級(jí)別，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路的設(shè)計(jì)布局。

新模塊的最高額定結(jié)溫是150°C，取得了UL 1557認(rèn)證，電絕緣級(jí)別高達(dá)1500Vrms/min。